收藏本站
IRF7702GPbF
5000
4000
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
10
8
I D = -8.0A
V DS =-9.6V
Ciss
3000
2000
6
4
1000
Coss
Crss
2
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
0.80
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
ID = -250μA
0.60
100
100us
0.40
10
1ms
T A = 25 ° C
0.20
-75
-50
-25 0 25   50   75
T J , Temperature ( °C )
100 125
150
10ms
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1             1             10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 7. Threshold Voltage Vs. Temperature
4
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF7703GTRPBF MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
IRF7703TRPBF MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
IRF7704GTRPBF MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
IRF7705GTRPBF MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
IRF7706GTRPBF MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
IRF7707GTRPBF MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
IRF7707TRPBF MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
IRF7805QTRPBF MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
IRF7702PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8A 8-Pin TSSOP
IRF7702TR 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7702TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8A 8-Pin TSSOP T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP - Tape and Reel
IRF7702TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -8A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7703 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7703GPBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET Ultra Low On-Resistance
IRF7703GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -40V -6A 28mOhm 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7703HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin TSSOP